TT8K11TCR - 上海强芯电子技术有限公司

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TT8K11TCRDKR-ND

型号 :: TT8K11TCR

制造商 :: Rohm Semiconductor

简介 :: MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8

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库存 :: 3000

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TT8K11TCR

FET 功能	逻辑电平栅极，4V 驱动
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	140pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	2.5nC @ 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	71 毫欧 @ 3A，10V
供应商器件封装	8-TSST
功率 - 最大值	1W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3A
系列	-

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