MCH6661-TL-W - 上海强芯电子技术有限公司

网站首页 > 产品> MCH6661-TL-W

图片仅供参考
请以实物为准

MCH6661-TL-WOSDKR-ND

型号 :: MCH6661-TL-W

制造商 :: ON Semiconductor

简介 :: MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363

PDF :: PDF

库存 :: 2275

单价 :: 注册会员查看价格

热门产品

浏览历史

MCH6661-TL-W

FET 功能	逻辑电平栅极，4V 驱动
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.6V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	88pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	2nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	188 毫欧 @ 900mA，10V
供应商器件封装	SC-88FL/ MCPH6
功率 - 最大值	800mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.8A
系列	-

产品评论

没有评论

购物指南

支付/配送

售后服务

关于我们