IRFH4257DTRPBF - 上海强芯电子技术有限公司

网站首页 > 产品> IRFH4257DTRPBF

图片仅供参考
请以实物为准

IRFH4257DTRPBFTR-ND

型号 :: IRFH4257DTRPBF

制造商 :: International Rectifier

简介 :: MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN

PDF :: PDF

库存 :: 800

单价 :: 注册会员查看价格

热门产品

浏览历史

IRFH4257DTRPBF

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 35µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	1321pF @ 13V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	15nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	3.4 毫欧 @ 25A，10V
供应商器件封装	双 PQFN（5x4）
功率 - 最大值	25W，28W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-PowerVDFN
漏源极电压（Vdss）	25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	25A
系列	HEXFET®

产品评论

没有评论

购物指南

支付/配送

售后服务

关于我们