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917-EPC2101ENG-ND

型号 :: EPC2101ENG

制造商 :: EPC

简介 :: TRANS GAN ASYM 60V BUMPED DIE

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EPC2101ENG

FET 功能	GaNFET（氮化镓）
FET 类型	2 个 N 通道（半桥）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 3mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	300pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	2.7nC @ 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	11.5 毫欧 @ 20A，5V
供应商器件封装	模具
功率 - 最大值	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	模具
漏源极电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	9.5A，38A
系列	-

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