服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> VT6J1T2CR

VT6J1T2CRCT-ND

型号 :
VT6J1T2CR
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
PDF :
PDF
库存 :
7855 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平栅极,1.2V 驱动
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 15pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
供应商器件封装 VMT6
功率 - 最大值 120mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]