SI3588DV-T1-GE3 - 上海强芯电子技术有限公司

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SI3588DV-T1-GE3CT-ND

型号 :: SI3588DV-T1-GE3

制造商 :: Vishay Siliconix

简介 :: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

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库存 :: 4446

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SI3588DV-T1-GE3

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	450mV @ 250µA（最小）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	7.5nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	80 毫欧 @ 3A，4.5V
供应商器件封装	6-TSOP
功率 - 最大值	830mW，83mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.5A，570mA
系列	TrenchFET®

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