ECH8695R-TL-W - 上海强芯电子技术有限公司

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ECH8695R-TL-WOSDKR-ND

型号 :: ECH8695R-TL-W

制造商 :: ON Semiconductor

简介 :: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28

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库存 :: 2810

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ECH8695R-TL-W

FET 功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
FET 类型	2 N 沟道（双）共漏
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	10nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	9.1 毫欧 @ 5A，4.5V
供应商器件封装	SOT-28FL/ECH8
功率 - 最大值	1.4W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	11A
系列	-

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