FDD3510H - 上海强芯电子技术有限公司

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FDD3510HTR-ND

型号 :: FDD3510H

制造商 :: Fairchild Semiconductor

简介 :: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

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库存 :: 40000

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FDD3510H

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道，共漏
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	800pF @ 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	18nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	80 毫欧 @ 4.3A，10V
供应商器件封装	TO-252-4L
功率 - 最大值	1.3W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
漏源极电压（Vdss）	80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.3A，2.8A
系列	PowerTrench®

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