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FDD3510HDKR-ND

型号 :
FDD3510H
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
PDF :
PDF
库存 :
1748 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道,共漏
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 800pF @ 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 18nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 4.3A,10V
供应商器件封装 TO-252-4L
功率 - 最大值 1.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
漏源极电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A,2.8A
系列 PowerTrench®
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