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296-40008-6-ND

型号 :
CSD75207W15
制造商 :
Texas Instruments
简介 :
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
PDF :
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库存 :
3322 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 595pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 3.7nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 162 毫欧 @ 1A,1.8V
供应商器件封装 9-DSBGA
功率 - 最大值 700mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 9-UFBGA,DSBGA
漏源极电压(Vdss) -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A
系列 NexFET™
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