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296-27599-6-ND

型号 :
CSD86311W1723
制造商 :
Texas Instruments
简介 :
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
PDF :
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库存 :
1696 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 585pF @ 12.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 39 毫欧 @ 2A,8V
供应商器件封装 12-DSBGA(1.53x1.98)
功率 - 最大值 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 12-UFBGA,DSBGA
漏源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A
系列 NexFET™
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