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DMN2019UTS-13DIDKR-ND

型号 :
DMN2019UTS-13
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
PDF :
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库存 :
888 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 143pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8.8nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 18.5 毫欧 @ 7A,10V
供应商器件封装 8-TSSOP
功率 - 最大值 780mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A
系列 -
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