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1014-1065-ND

型号 :
ALD114913PAL
制造商 :
Advanced Linear Devices Inc
简介 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
PDF :
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库存 :
35 
单价 :
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FET 功能 耗尽模式
FET 类型 2 N 沟道(双)配对
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.26V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2.5pF @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 2.7V
供应商器件封装 8-PDIP
功率 - 最大值 500mW
安装类型 通孔
封装/外壳 8-DIP(0.300",7.62mm)
漏源极电压(Vdss) 10.6V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12mA,3mA
系列 EPAD®
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