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DMN1029UFDB-7DIDKR-ND

型号 :
DMN1029UFDB-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 914pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 19.6nC @ 8V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 29 毫欧 @ 5A,4.5V
供应商器件封装 U-DFN2020-6
功率 - 最大值 1.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A
系列 -
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