DMN1029UFDB-7 - 上海强芯电子技术有限公司

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DMN1029UFDB-7DIDKR-ND

型号 :: DMN1029UFDB-7

制造商 :: Diodes Incorporated

简介 :: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

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库存 :: 800

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DMN1029UFDB-7

FET 功能	标准
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	914pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	19.6nC @ 8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	29 毫欧 @ 5A，4.5V
供应商器件封装	U-DFN2020-6
功率 - 最大值	1.4W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
漏源极电压（Vdss）	12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5.6A
系列	-

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