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DMN61D8LVT-13DITR-ND

型号 :
DMN61D8LVT-13
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 12.9pF @ 12V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 0.74nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.8 欧姆 @ 150mA,5V
供应商器件封装 TSOT-26
功率 - 最大值 820mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 630mA
系列 -
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