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UPA2379T1P-E1-ATR-ND

型号 :
UPA2379T1P-E1-A
制造商 :
Renesas Electronics America
简介 :
MOSFET 2N-CH 12V
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20nC @ 4V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) -
供应商器件封装 6-EFLIP-LGA(2.17x1.47)
功率 - 最大值 1.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-XFLGA
漏源极电压(Vdss) -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
系列 -
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