IRFHM792TRPBF - 上海强芯电子技术有限公司

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IRFHM792TRPBF-ND

型号 :: IRFHM792TRPBF

制造商 :: International Rectifier

简介 :: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

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库存 :: 800

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IRFHM792TRPBF

FET 功能	标准
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	251pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	6.3nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	195 毫欧 @ 2.9A，10V
供应商器件封装	8-PQFN（3.3x3.3），Power33
功率 - 最大值	2.3W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-PowerVDFN
漏源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.3A
系列	HEXFET®

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