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PHKD3NQ10T,518-ND
- 型号 :
- PHKD3NQ10T,518
- 制造商 :
- NXP Semiconductors
- 简介 :
- MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- PDF :
- 库存 :
- 800
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 633pF @ 20V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 21nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 90 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 3A |
| 系列 | TrenchMOS™ |
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