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网站首页 > 产品> STS8DN3LLH5

497-10391-2-ND

型号 :
STS8DN3LLH5
制造商 :
STMicroelectronics
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 724pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 5.4nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 5A,10V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 2.7W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A
系列 STripFET™ V
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