服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3CT-ND

型号 :
SI7956DP-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 26nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 105 毫欧 @ 4.1A,10V
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大值 1.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
漏源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A
系列 TrenchFET®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]