服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> ALD1101APAL

1014-1000-ND

型号 :
ALD1101APAL
制造商 :
Advanced Linear Devices Inc
简介 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 标准
FET 类型 2 N 沟道(双)配对
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 10pF @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 75 欧姆 @ 5V
供应商器件封装 8-PDIP
功率 - 最大值 500mW
安装类型 通孔
封装/外壳 8-DIP(0.300",7.62mm)
漏源极电压(Vdss) 10.6V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]