服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> NVMFD5877NLWFT1G

NVMFD5877NLWFT1G-ND

型号 :
NVMFD5877NLWFT1G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 540pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 39 毫欧 @ 7.5A,10V
供应商器件封装 8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称)
功率 - 最大值 3.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]