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MMDF1N05ER2GOSCT-ND

型号 :
MMDF1N05ER2G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 12.5nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 1.5A,10V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A
系列 -
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