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NVMFD5483NLT1G-ND

型号 :
NVMFD5483NLT1G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
PDF :
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库存 :
15000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 668pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 23.4nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 36 毫欧 @ 15A,10V
供应商器件封装 8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称)
功率 - 最大值 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.4A
系列 -
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