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网站首页 > 产品> PMWD20XN,118

568-2362-2-ND

型号 :
PMWD20XN,118
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 740pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 11.6nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 22 毫欧 @ 4.2A,10V
供应商器件封装 8-TSSOP
功率 - 最大值 4.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.4A
系列 TrenchMOS™
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