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TPC8207(TE12L,Q)-ND

型号 :
TPC8207(TE12L,Q)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2010pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 22nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 4.8A,4V
供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)
功率 - 最大值 450mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A
系列 -
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