TPC8208(TE12L,Q,M) - 上海强芯电子技术有限公司

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TPC8208(TE12L,Q,M)-ND

型号 :: TPC8208(TE12L,Q,M)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8

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库存 :: 800

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TPC8208(TE12L,Q,M)

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	780pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	9.5nC @ 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	50 毫欧 @ 2.5A，4V
供应商器件封装	8-SOP（5.5x6.0）
功率 - 最大值	450mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5A
系列	-

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