MCH6626-TL-E - 上海强芯电子技术有限公司

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869-1180-1-ND

型号 :: MCH6626-TL-E

制造商 :: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

简介 :: MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6

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库存 :: 800

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MCH6626-TL-E

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	105pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	1.4nC @ 4V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	230 毫欧 @ 800mA，4V
供应商器件封装	6-MCPH
功率 - 最大值	800mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.6A，1A
系列	-

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