MP6M14TCR - 上海强芯电子技术有限公司

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MP6M14TCRCT-ND

型号 :: MP6M14TCR

制造商 :: Rohm Semiconductor

简介 :: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

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库存 :: 800

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MP6M14TCR

FET 功能	逻辑电平栅极，4V 驱动
FET 类型	N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	470pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	7.3nC @ 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	25 毫欧 @ 8A，10V
供应商器件封装	MPT6
功率 - 最大值	2W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-6
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8A，6A
系列	-

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