LP1030DK1-G - 上海强芯电子技术有限公司

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LP1030DK1-G-ND

型号 :: LP1030DK1-G

制造商 :: Microchip Technology

简介 :: MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5

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库存 :: 800

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LP1030DK1-G

FET 功能	标准
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	10.8pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	180 欧姆 @ 20mA，7V
供应商器件封装	SOT-23-5
功率 - 最大值	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-74A，SOT-753
漏源极电压（Vdss）	300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
系列	-

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