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ZXMD65P02N8CT-ND

型号 :
ZXMD65P02N8TA
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA(最小)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 960pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2.9A,4.5V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 1.75W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
系列 -
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