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568-2364-1-ND

型号 :
PMWD30UN,518
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1478pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 28nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 3.5A,4.5V
供应商器件封装 8-TSSOP
功率 - 最大值 2.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A
系列 TrenchMOS™
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