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DMN5L06DWDICT-ND

型号 :
DMN5L06DW-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET 2N-CH 50V 280MA SOT-363
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 50pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 200mA,2.7V
供应商器件封装 SOT-363
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压(Vdss) 50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 280mA
系列 -
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