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SI4569DY-T1-E3CT-ND

型号 :
SI4569DY-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 855pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 32nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 6A,10V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 3.1W,3.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A,7.9A
系列 TrenchFET®
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