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SIB911DK-T1-E3DKR-ND

型号 :
SIB911DK-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 115pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4nC @ 8V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 295 毫欧 @ 1.5A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK® SC-75-6L 双
功率 - 最大值 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SC-75-6L 双
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A
系列 TrenchFET®
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