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SIF912EDZ-T1-E3TR-ND

型号 :
SIF912EDZ-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 15nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 7.4A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK®(2x5)
功率 - 最大值 1.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® 2x5
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.4A
系列 TrenchFET®
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