FDMJ1032C - 上海强芯电子技术有限公司

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FDMJ1032CCT-ND

型号 :: FDMJ1032C

制造商 :: Fairchild Semiconductor

简介 :: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75

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库存 :: 800

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FDMJ1032C

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	270pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	3nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	90 毫欧 @ 3.2A，4.5V
供应商器件封装	SC-75，MicroFET
功率 - 最大值	800mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-WFDFN 裸露焊盘
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.2A，2.5A
系列	PowerTrench®

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