STS4C3F60L - 上海强芯电子技术有限公司

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497-4396-6-ND

型号 :: STS4C3F60L

制造商 :: STMicroelectronics

简介 :: MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC

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库存 :: 800

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STS4C3F60L

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	1030pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	20.4nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	55 毫欧 @ 2A，10V
供应商器件封装	8-SO
功率 - 最大值	2W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
漏源极电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4A，3A
系列	STripFET™

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