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MMDF2C03HDR2GOSTR-ND

型号 :
MMDF2C03HDR2G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 630pF @ 24V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 16nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 3A,10V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A,3A
系列 -
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