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BSO211P H-ND

型号 :
BSO211P H
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1095pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 10nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 67 毫欧 @ 4.6A,4.5V
供应商器件封装 PG-DSO-8
功率 - 最大值 1.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
系列 OptiMOS™
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