IPG15N06S3L-45 - 上海强芯电子技术有限公司

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IPG15N06S3L-45-ND

型号 :: IPG15N06S3L-45

制造商 :: Infineon Technologies

简介 :: MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8

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库存 :: 800

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IPG15N06S3L-45

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	1420pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	20nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	45 毫欧 @ 10A，10V
供应商器件封装	PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
功率 - 最大值	21W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-PowerTDFN
漏源极电压（Vdss）	55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	15A
系列	OptiMOS™

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