MVDF2C03HDR2G - 上海强芯电子技术有限公司

网站首页 > 产品> MVDF2C03HDR2G

图片仅供参考
请以实物为准

MVDF2C03HDR2G-ND

型号 :: MVDF2C03HDR2G

制造商 :: ON Semiconductor

简介 :: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

PDF :: PDF

库存 :: 800

单价 :: 注册会员查看价格

热门产品

浏览历史

MVDF2C03HDR2G

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道互补型
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	630pF @ 24V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	16nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	70 毫欧 @ 3A，10V
供应商器件封装	8-SO
功率 - 最大值	2W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.1A，3A
系列	-

产品评论

没有评论

购物指南

支付/配送

售后服务

关于我们