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HGTD1N120BNS9ADKR-ND

型号 :
HGTD1N120BNS9A
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
PDF :
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库存 :
3482 
单价 :
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25°C 时 Td(开/关)值 15ns/67ns
IGBT 类型 NPT
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.9V @ 15V,1A
供应商器件封装 TO-252AA
功率 - 最大值 60W
反向恢复时间(trr) -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
开关能量 70µJ(开),90µJ(关)
栅极电荷 14nC
测试条件 960V,1A,82 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 5.3A
系列 -
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 6A
输入类型 标准
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