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HGT1S10N120BNSTTR-ND
- 型号 :
- HGT1S10N120BNST
- 制造商 :
- Fairchild Semiconductor
- 简介 :
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- PDF :
- 库存 :
- 800
- 单价 :
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| 25°C 时 Td（开/关）值 | 23ns/165ns |
|---|---|
| IGBT 类型 | NPT |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.7V @ 15V，10A |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率 - 最大值 | 298W |
| 反向恢复时间（trr） | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 开关能量 | 320µJ（开），800µJ（关） |
| 栅极电荷 | 100nC |
| 测试条件 | 960V，10A，10 欧姆，15V |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 35A |
| 系列 | - |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 80A |
| 输入类型 | 标准 |
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