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RGT8BM65DTLDKR-ND

型号 :
RGT8BM65DTL
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
IGBT 650V 8A 62W TO-252
PDF :
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库存 :
2498 
单价 :
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25°C 时 Td(开/关)值 17ns/69ns
IGBT 类型 沟道和场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.1V @ 15V,4A
供应商器件封装 TO-252
功率 - 最大值 62W
反向恢复时间(trr) 40ns
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
开关能量 -
栅极电荷 13.5nC
测试条件 400V,4A,50欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 8A
系列 -
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 12A
输入类型 标准
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