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RGTH00TS65DGC11-ND

型号 :
RGTH00TS65DGC11
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
PDF :
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库存 :
442 
单价 :
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25°C 时 Td(开/关)值 39ns/143ns
IGBT 类型 沟道和场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.1V @ 15V,50A
供应商器件封装 TO-247N
功率 - 最大值 277W
反向恢复时间(trr) 54ns
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
开关能量 -
栅极电荷 94nC
测试条件 400V,50A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 85A
系列 -
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
输入类型 标准
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