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GT30J121(Q)-ND

型号 :
GT30J121(Q)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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25°C 时 Td(开/关)值 90ns/300ns
IGBT 类型 -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.45V @ 15V,30A
供应商器件封装 TO-3P(N)
功率 - 最大值 170W
反向恢复时间(trr) -
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
开关能量 1mJ(开),800µJ(关)
栅极电荷 -
测试条件 300V,30A,24 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30A
系列 -
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 60A
输入类型 标准
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