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NGTB15N60S1EGOS-ND

型号 :
NGTB15N60S1EG
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
PDF :
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库存 :
50 
单价 :
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25°C 时 Td(开/关)值 65ns/170ns
IGBT 类型 NPT
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 1.7V @ 15V,15A
供应商器件封装 TO-220
功率 - 最大值 117W
反向恢复时间(trr) 270ns
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
开关能量 550µJ(开),350µJ(关)
栅极电荷 88nC
测试条件 400V,15A,22 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30A
系列 -
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 120A
输入类型 标准
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