MMBFU310LT1G - 上海强芯电子技术有限公司

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MMBFU310LT1GOSTR-ND

型号 :: MMBFU310LT1G

制造商 :: ON Semiconductor

简介 :: JFET N-CH 25V 225MW SOT23

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库存 :: 9000

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MMBFU310LT1G

FET 类型	N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	2.5V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	5pF @ 10V（VGS）
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	24mA @ 10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率 - 最大值	225mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
漏极电流（Id） - 最大值	-
漏源极电压（Vdss）	25V
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	25V
电阻 - RDS（开）	-
系列	-

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