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TF412ST5GOSTR-ND

型号 :
TF412ST5G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
JFET N-CH 30V SOT-883 XDFN3
PDF :
PDF
库存 :
400000 
单价 :
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FET 类型 N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 180mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 4pF @ 10V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 1.2mA @ 10V
供应商器件封装 SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
功率 - 最大值 100mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-XFDFN
漏极电流(Id) - 最大值 10mA
漏源极电压(Vdss) 30V
电压 - 击穿(V(BR)GSS) 30V
电阻 - RDS(开) -
系列 -
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